HClO和HClO3中氯原子皆為sp3雜化，空間電子雲分佈呈正四面體，HClO中氯原子的3個雜化軌道被填滿，剩下一個與sp3雜化的氧原子的一個軌道重疊，電子雲密度更接近氧原子，從而使氯原子更容易得到電子對被氧化，或者鍵斷裂形成自由基，由此具有強氧化性。HClO3中氯原子有2個滿電子的雜化軌道用來填補2個氧原子的空雜化軌道，軌道為空所以能級更高，更不穩定，由此亦具有強氧化性，但是跟HClO相類似的那根HOCl中氧原子和氯原子之間的鍵，由於氯原子受其餘兩個氧原子的吸電影響，此鍵的電子雲密度更傾向於氯原子，從而使這個鍵跟HClO相比不那麼容易被拆成自由基。根據實驗結果HClO氧化性更強，應該是氯氧鍵活性比氯氧雙鍵更高，更體現出氧化性。
