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不全是,電感電容不是用pn結做的,金屬間電容精度比較高,一般在數百fF到數十pF,內部結構不是pn結,MOS管的柵電容電容大但精度差,一般晶片內部空餘的地方都會填滿MOS電容用於電源退耦,但與片外退耦電容相比還是小的可憐。
diode和BJT是用PN接面做的;MOS管通過形成反型層導電,不過MOS管與矽襯底之間的隔離使用反偏PN接面實現的。
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