關於CMOS工藝的介紹：
1、概況：是在PMOS和NMOS工藝基礎上發展起來的，表示“互補”，即將NMOS器件和PMOS器件同時製作在同一矽襯底上，製作CMOS積體電路；
2、優勢：具有功耗低、速度快、抗干擾能力強、整合度高等優點，目前已成為當前大規模積體電路的主流工藝技術；
3、工藝：電路中既包含NMOS電晶體也包含PMOS電晶體，要將兩種電晶體都做在同一個矽襯底上，就需要在矽襯底上製作一塊反型區域，該區域被稱為“阱”，N阱CMOS工藝由於工藝簡單、電路效能較P阱CMOS工藝更優，從而獲得廣泛的應用。
