mos管是利用VGS來控制“感應電荷”的多少，以改變由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況，然後達到控制漏極電流的目的。
MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應電晶體，簡稱金氧半場效電晶體。一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應電晶體，或者稱是金屬—絕緣體(ulator)—半導體。G：gate柵極；S：source源極；D：drain漏極。MOS管的source（源極）和drain（耗盡層）是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的效能。這樣的器件被認為是對稱的。場效電晶體分為PMOS管和NMOS管，屬於絕緣柵場效電晶體。
