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怎樣測量場效電晶體好壞

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怎樣測量場效電晶體好壞

測量場效電晶體好壞,首先觀察場效電晶體的外觀是否完好,如果存在燒焦或針腳斷裂等說明已經發生損壞。對場效電晶體的引腳進行清潔,然後用小鑷子對場效電晶體進行放電,避免殘留電荷對檢測產生影響。

場效應電晶體(FieldEffectTransistor縮寫(FET))簡稱場效電晶體。主要有兩種型別:結型場效電晶體(junctionFET—JFET)和金屬-氧化物半導體場效電晶體(metal-oxidesemiconductorFET,簡稱MOS-FET)。由多數載流子參與導電,也稱為單極型電晶體。它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於整合、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點,現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。