記憶體卡屬於快閃記憶體flash型別的產品。
快閃記憶體是以單電晶體作為二進位制訊號的儲存單元，其結構與普通的半導體電晶體非常類似，區別在於快閃記憶體的電晶體加入了“浮動柵（floating gate）”和“控制柵（Control gate）”。浮動柵用於貯存電子，表面被一層矽氧化物絕緣體所包覆，並通過電容與控制柵相耦合。當負電子在控制柵的作用下被注入到浮動柵中時，NAND單電晶體的儲存狀態就由1變成0；而當負電子從浮動柵中移走後，儲存狀態就由0變成1。包覆在浮動柵表面的絕緣體的作用就是將內部的電子“困住”，達到儲存資料的目的。
如果要寫入資料，就必須將浮動柵中的負電子全部移走，令目標儲存區域都處於1狀態，只有遇到資料0時才發生寫入動作，但這個過程需要耗費較長的時間，導致不管是NAND還是NOR型快閃記憶體，其寫入速度總是慢於資料讀取的速度。
