記憶體卡的儲存原理

記憶體卡是以單電晶體作為二進位制訊號的儲存單元，電晶體中加入了浮動柵和控制柵。浮動柵用於貯存電子，表面被一層矽氧化物絕緣體所包覆，並通過電容與控制柵相耦合。當負電子在控制柵的作用下被注入到浮動柵中時，NAND單電晶體的儲存狀態就由1變成0，而當負電子從浮動柵中移走後，儲存狀態就由0變成1。包覆在浮動柵表面的絕緣體的作用就是將內部的電子“困住”，達到儲存資料的目的。