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光刻機(MaskAligner)又名:掩模對準曝光機,曝光系統,光刻系統等。常用的光刻機是掩膜對準光刻,所以叫MaskAlignmentSystem。
低奈米光刻機,是分辨率較高,精確到奈米的光刻機。
2018年11月29日,國家重大科研裝備研製專案“超分辨光刻裝備研製”通過驗收。該光刻機由中國科學院光電技術研究所研製,光刻分辨力達到22奈米,結合雙重曝光技術後,未來還可用於製造10奈米級別的晶片。
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