1、各向異性刻蝕，即只有垂直刻蝕，沒有橫向鑽蝕。這樣才能保證精確地在被刻蝕的薄膜上覆製出與抗蝕劑上完全一致的幾何圖形。
2、良好的刻蝕選擇性，即對作為掩模的抗蝕劑和處於其下的另一層薄膜或材料的刻蝕速率都比被刻蝕薄膜的刻蝕速率小得多，以保證刻蝕過程中抗蝕劑掩蔽的有效性，不致發生因為過刻蝕而損壞薄膜下面的其他材料。
3、加工批量大，控制容易，成本低，對環境汙染少，適用於工業生產。
光刻技術在廣義上，它包括光復印和刻蝕工藝兩個主要方面。光復印工藝是經曝光系統將預製在掩模版上的器件或電路圖形按所要求的位置，精確傳遞到預塗在晶片表面或介質層上的光致抗蝕劑薄層上。刻蝕工藝是利用化學或物理方法，將抗蝕劑薄層未掩蔽的晶片表面或介質層除去，從而在晶片表面或介質層上獲得與抗蝕劑薄層圖形完全一致的圖形。積體電路各功能層是立體重疊的，因而光刻工藝總是多次反覆進行。
